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控制系统 - 处理装置 - 七星华创

七星华创反应离子刻蚀机（RIE）

品牌：七星华创

生产商：北京七星华创电子股份有限公司

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七星华创反应离子刻蚀机（RIE）产品介绍

产品介绍：

设备用于2″～6″硅片0.8～0.35μm工艺，此类设备可广泛应用于半导体器件、电力电子器件、光电子、太阳能电池、微机械等诸多领域。

描述：

反应离子刻蚀是指利用能与被刻蚀材料起化学反应的气体，通过辉光放电使之形成低温等离子体，对晶片表面未被掩蔽部分进行腐蚀的设备，是利用活性离子对衬底的物理轰击与化学反应的双重作用进行刻蚀。
本设备主要有计算机控制系统、射频系统、分子泵真空系统、压力控制系统、工艺管路系统、恒温水循环系统组成。设备操作简便，工艺参数显示、控制、查找方便清晰。设备配置合理，可靠性高。

七星华创反应离子刻蚀机（RIE）技术参数

产品参数适用晶片尺寸：2″～6″刻蚀线宽：0.8～0.35μm刻蚀介质：氮化硅、多晶硅、砷化镓、磷化铟及铝等多种介质刻蚀速率：3000～6000埃/分均匀性：±5%选择比：5:1反应机理：RIE工作压力：0.1～1乇结构形式：可配真空锁、机械手传片，平行平板型

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