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深圳市英德斯电子有限公司
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英德斯I-7017 8通道模拟量输入模块
模拟量输入 通道:8路差动或6 路差动+2路单端( 跳线选择) 分辨率:16位 输入类型:mV, V , mA (接125Ω外电阻) 输入范围:± 150mV, ± 500mV , ± 1V,
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02-09
英德斯I-7016 2通道应变仪输入模块
模拟量输入 通道:2 模拟量输入类型:mV, V, mA 采样速率:10次/秒 分辨率:16位 带宽:5.24Hz 精度:±0.05% FSR 零点漂移:±0.5μV/
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02-09
英德斯I-7188E5-485 Internet嵌入式控制器
CPU:Am188™ES, 40M Hz 或 兼容芯片 SRAM:256K bytes Flash Memory:512K bytes。擦除单位是一个扇区 (64K bytes);，100,000 次擦写寿命 EEPROM:
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02-09
英德斯I-7033 3通道RTD输入模块
模拟量输出 光电隔离:3750 Vrms 通道:3 输入类型:Pt , Ni 采样速率:10 次/秒 带宽:4 Hz 线接头:2/3/4 线 精度:+/- 0.1% 零
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02-09
英德斯I-7013 RTD输入模块
模拟量输入 输入通道:1 输入类型:Pt , Ni 采样速率:10 次/秒 分辨率:16-bit 带宽:5.24Hz 接线方式:2/3/4线 精度:± 0.05%或更高
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02-09
英德斯I-7012 模拟量输入模块
模拟量输入 输入类型:mV, V , 或mA 输入通道:1 电压范围:± 150mV, ± 500mV, ± 1V, ± 5V, ± 10V 电流范围:± 20mA 分辨率:16位 采样速率
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02-09
英德斯I-7188E1 Internet嵌入式控制器
CPU:Am188™ES, 40M Hz 或 兼容芯片 SRAM:256K bytes Flash Memory:512K bytes。擦除单位是一个扇区 (64K bytes);，100,000 次擦写寿命 EEPROM:
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02-08
英德斯I-7188E2 Internet嵌入式控制器
CPU:Am188™ES, 40M Hz 或 兼容芯片 SRAM:256K bytes Flash Memory:512K bytes。擦除单位是一个扇区 (64K bytes);，100,000 次擦写寿命 EEPROM:
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02-08
英德斯I-7188E3-232 Internet嵌入式控制器
CPU:Am188™ES, 40M Hz 或 兼容芯片 SRAM:256K bytes Flash Memory:512K bytes。擦除单位是一个扇区 (64K bytes);，100,000 次擦写寿命 EEPROM:
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02-08
英德斯I-7188E3 Internet嵌入式控制器
CPU:Am188™ES, 40M Hz 或 兼容芯片 SRAM:256K bytes Flash Memory:512K bytes。擦除单位是一个扇区 (64K bytes);，100,000 次擦写寿命 EEPROM:
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